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FDC638APZ - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDC638APZ

Hersteller Teil #: FDC638APZ

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDC638APZ Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Factory Lead Time

13 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Number of Pins

Weight

36mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

48 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2006

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

43MOhm

Voltage - Rated DC

-12V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Current Rating

-4.5A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

1.6W

Turn On Delay Time

6 ns

FET Type

P-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43m Ω @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Rise Time

20ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Vgs (Max)

±12V

Fall Time (Typ)

20 ns

Continuous Drain Current (ID)

-4.5A

Threshold Voltage

-800mV

Gate to Source Voltage (Vgs)

12V

Drain to Source Breakdown Voltage

-20V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

20A

Dual Supply Voltage

-20V

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

Height

1.1mm

Length

3mm

Width

1.7mm

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDC638APZ	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
FDC608PZ	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
FDC602P	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
IRLMS6802TRPBF	SOT-23-6	MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
FDC640P	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 2000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.76752

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.76752
10+:	$0.72407
100+:	$0.68309
500+:	$0.64442
1000+:	$0.60795

Zwischensumme: $0.76752

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